G1031424 - Electrónica Física (Estrutura da Materia) - Curso 2013/2014

Información

• Créditos ECTS
• Créditos ECTS: 4.50
• Total: 4.5
• Horas ECTS
• Clase Expositiva: 18.00
• Clase Interactiva Laboratorio: 18.00
• Horas de Titorías: 2.25
• Total: 38.25

Outros Datos

• Tipo: Materia Ordinaria Grao RD 1393/2007
• Departamentos: Electrónica e Computación
• Áreas: Electrónica
• Centro: Facultade de Física
• Convocatoria: 2º Semestre de Titulacións de Grao/Máster
• Docencia e Matrícula: null

Profesores

Nome	Coordinador
GARCIA LOUREIRO, ANTONIO JESUS.	SI
GOMEZ GONZALEZ, LORENZO.	NON

Horarios

Nome	Tipo Grupo	Tipo Docencia	Horario Clase	Horario exames
Grupo /CLE_01	Ordinario	Clase Expositiva	SI	SI
Grupo /CLIL_01	Ordinario	Clase Interactiva Laboratorio	SI	NON
Grupo /CLIL_02	Ordinario	Clase Interactiva Laboratorio	SI	NON
Grupo /TI-ECTS01	Ordinario	Horas de Titorías	NON	NON
Grupo /TI-ECTS02	Ordinario	Horas de Titorías	NON	NON
Grupo /TI-ECTS03	Ordinario	Horas de Titorías	NON	NON

Programa

Existen programas da materia para os seguintes idiomas:

Castelán

Galego

Inglés

Obxectivos da materia
Estudo e caracterización dos dispositivos semicondutores e dos seus fundamentos físicos. Centrarémonos nos díodos, os transistores bipolares e os de efecto campo. Presentaranse distintos modelos para estes dispositivos.
Contidos
INTRODUCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES. Propiedades dos semiconductores. Semiconductores intrínsecos e extrínsecos.

FÍSICA DE SEMICONDUCTORES. BANDAS DE ENERXÍA. Concentración de portadores en equilibrio térmico e fóra do equilibrio. Cálculo da distribución de portadores. Concentracións en función da enerxía. Concentracións en función do dopado. Dependencia coa temperatura. Nivel de Fermi.

FENÓMENOS DE TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES. Correntes de arrastre. Correntes de difusión. Expresións finais da corrente. Mecanismos de xeración-recombinación. Ecuacións de continuidade.

A UNIÓN PN. Estrutura da unión. Estática da unión PN: Análise cualitativa. Aproximación de vaciamiento. Unión gradual. Problema electrocinético da unión PN: Análise cualitativa. A ecuación do diodo ideal. Desviacións respecto a unión ideal. Admitancia da unión


O TRANSISTOR MOSFET. Estrutura do MOS e MOSFET. Diagrama de bandas. Características capacidade-tensión. Modos de funcionamento. Modelos do transistor MOSFET.

O TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN. Estrutura do bipolar. Introdución aos modos de funcionamento. Análise cualitativa: Diagrama de bandas. Correntes no transistor. Características ideais. Ecuacións de Ebers-Moll. O transistor real. Modelos do transistor BJT.

Bibliografía básica e complementaria
Jasprit Singh, Dispositivos Semiconductores, Editorial McGraw-Hill, 1997.
G. W. Neudeck, El diodo PN de unión, 2; ediciónn, Addison-Wesley Iberoamericana, 1994.
G. W. Neudeck, El transistor bipolar de unión, 2; edición, Addison-Wesley Iberoamericana, 1994.
Kwok K. Ng, Complete Guide to Semiconductor Devices, Editorial Wiley, 2002.
M. Shur, Compound Semiconductor Electronics, Editorial World Scientific, 1996.
Peter Y. Yu, Fundamentals of Semiconductors, Editorial Springer, 2001.
R. F. Pierret, Fundamentos de semiconductores, 2 edición, Addison-Wesley Iberoamericana, 1994.
R. F. Pierret, Advanced semiconductor fundamentals, Addison-Wesley, 1987.
Sze, S.M., Physics of semiconductor devices, 2 edición, John Wiley & Sons, New York, 1981.
S. M. Sze, Semiconductor Devices, Editorial Wile, 2002.
Shalimova, Física de los semiconductores, Ed. MIR, 1975.
Yang, E.S., Fundamentals of semiconductor devices, McGraw-Hill Book Company, New York, 1978.
Wang, F.F.Y., Introduction to solid state electronics, North-Holland Pub. Company, Amsterdam, 1980.
Competencias
O alumno coñecerá os principios de funcionamento dos dispositivos electrónicos actuais e os modelos de circuítos asociados a eses dispositivos. Ademais, presentarase unha perspectiva da investigación actual neste campo.
Metodoloxía da ensinanza
Clases presenciais e interactivas. Con prácticas de laboratorio.
Sistema de evaluación
Haberá un exame teórico final do cuadrimestre que será obrigatorio superar para poder aprobar esta materia. Este exame contará o 75% da nota final.
Realizaranse prácticas obrigatorias e presentarase unha memoria final que contará o 25% da nota final.
Tempo de estudo e traballo persoal
TRABALLO PRESENCIAL NO AULA
Horas
Clases de lousa en grupo grande
24
Clases de lousa en grupo reducido
6
Clases con ordenador/laboratorio en grupo reducido
15
Tutorías en grupo reducido sen ordenador/laboratorio

Tutorías en grupo reducido con ordenador/laboratorio

Tutorías en grupos moi reducidos ou individualizadas
2,5
Outras sesións con profesor
Especificar:

Total horas traballo presencial no aula
47,5

Recomendacións para o estudo da materia
Clases presenciais e interactivas. Con prácticas de laboratorio.
Observacións
Clases presenciais e interactivas. Con prácticas de laboratorio.