Unha publicación do Grupo de Investigación do Dr. Francisco Rivadulla (CIQUS) foi distinguida pola revista APL Materials de agosto cun comentario editorial en "Research Highlights".
O artigo, titulado Strain-induced enhancement of the thermoelectric power in thin films of hole-doped La2NiO4+δ, explica como a enerxía termoeléctrica e a resistividade eléctrica se poden modificar de forma independente en certo tipo de semicondutores.
Este resultado foi logrado por primeira vez mediante o control da tensión de tracción/compresión inducida polo crecemento epitaxial de películas delgadas de diferentes semicondutores sobre un substrato cristalino. O logro deste control independente de ambas as dúas magnitudes é importante para a optimización dos materiais termoeléctricos.
APL Materials (editada polo Instituto Americano de Física, AIP) é unha nova publicación científica que contará con investigacións orixinais sobre temas de significada importancia dentro do campo da ciencia dos materiais, destacando a ciencia de vangarda actual.
(a) Imaxe TEM (Microscopio electrónico de transmisión) de alta resolución dunha película La2NiO4 enchente epitaxialmente sobre STO. (b) e (c) Transformadas de Fourier da película La2NiO4 e substrato STO, respectivamente, o que confirma o crecemento epitaxial. (d) Detalle da rexión da interface, que mostra o eixe C perpendicular á superficie do STO